Комплектующие

Аппаратное шифрование,: нет Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 512 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Phison PS5013-E13 Ресурс TBW, Тб: 400 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1500 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Аппаратное шифрование,: нет Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Phison PS5013-E13 Ресурс TBW, Тб: 760 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 512 Гб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 350 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2300 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000 Скорость случайной записи, IOPS: 600000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 2 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 700000 Скорость случайной записи, IOPS: 680000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 350 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1700 Скорость случайного чтения, IOPS: 530000 Скорость случайной записи, IOPS: 420000 Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 1 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 760 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайной записи, IOPS: 670000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 120 Гб Интерфейс передачи данных,: SATA III Контроллер,: Silicon Motion Скорость последовательного чтения, Мб/с: 520 Скорость последовательной записи, Мб/с: 290 Скорость случайного чтения, IOPS: 42000 Скорость случайной записи, IOPS: 40000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 500 Гб Интерфейс передачи данных,: SATA Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 80 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 534 Скорость последовательной записи, Мб/с: 500 Скорость случайного чтения, IOPS: 34686 Скорость случайной записи, IOPS: 78322

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 Тб Интерфейс передачи данных,: SATA Ресурс TBW, Тб: 320 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 558 Скорость последовательной записи, Мб/с: 502 Скорость случайного чтения, IOPS: 46297 Скорость случайной записи, IOPS: 69377 Тип флэш-памяти,: 3D QLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 512 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe Ресурс TBW, Тб: 200 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3083 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2208 Скорость случайного чтения, IOPS: 183000 Скорость случайной записи, IOPS: 306000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 256 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe Ресурс TBW, Тб: 100 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3063 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1297 Скорость случайного чтения, IOPS: 205000 Скорость случайной записи, IOPS: 276000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 512 Гб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2050 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1630 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280 Толщина, мм: 3.5