Оперативная память DDR4 Silicon Power SP016GXLZU320B0A
7989995
PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Объем одного модуля, Гб: 16 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4 Форм-фактор,: U-DIMM Напряжение питания, В: 1.35 Цвет корпуса,: черный
109.00р.
Оперативная память DDR4 Silicon Power SP008GXLZU320BSA
7989967
CAS Latency, Т: 16 PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Наличие радиатора,: есть Объем одного модуля, Гб: 8 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4 Форм-фактор,: U-DIMM
69.04р.
Оперативная память DDR4 Silicon Power SP008GBSFU320B02
8017091
CAS Latency, Т: 22 PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Объем одного модуля, Гб: 8 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4 Форм-фактор,: SO-DIMM Напряжение питания, В: 1.2
76.00р.
Ваша скидка: -11%
Оперативная память DDR4 Silicon Power SP008GBLFU266X02
Оперативная память DDR4 Silicon Power SP008GBLFU266X02
8626620
CAS Latency, Т: 19 ECC,: нет PC-индекс,: PC4-21300 Набор,: 1 модуль Объем одного модуля, Гб: 8 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Тайминги,: 19-19-19 Тактовая частота, МГц: 2666 Тип памяти,: оперативная память DDR4
97.53р. 87.08р.
Ваша скидка: -11%
Оперативная память DDR4 Samsung M393A8G40BB4-CWE
Оперативная память DDR4 Samsung M393A8G40BB4-CWE
6701096
CAS Latency, Т: 21 ECC,: есть PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Наличие радиатора,: нет Объем одного модуля, Гб: 64 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4
865.42р. 772.70р.
Оперативная память DDR4 Samsung M393A4K40EB3-CWE
7152370
CAS Latency, Т: 22 PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Объем одного модуля, Гб: 32 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4 Форм-фактор,: R-DIMM Назначение,: для системного блока
378.85р.
Оперативная память DDR4 Samsung M393A4K40DB3-CWE
6291167
CAS Latency, Т: 21 ECC,: есть PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Наличие радиатора,: нет Объем одного модуля, Гб: 32 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тайминги,: 21-21-21-32 Тактовая частота, МГц: 3200
430.08р.
Оперативная память DDR4 Samsung M393A4G40BB3-CWE
8902928
CAS Latency, Т: 22 PC-индекс,: РС4-25600 Набор,: 1 модуль Объем одного модуля, Гб: 32 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4 Форм-фактор,: R-DIMM Назначение,: для сервера
410.30р.
Оперативная память DDR4 Samsung M378A1G44AB0
8882952
CAS Latency, Т: 19 PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 1 модуль Объем одного модуля, Гб: 8 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тактовая частота, МГц: 3200 Тип памяти,: оперативная память DDR4 Форм-фактор,: DIMM Назначение,: для системного блока
107.22р.
Оперативная память DDR4 Patriot Viper Steel RGB PVSR416G320C8K
6463184
CAS Latency, Т: 18 ECC,: нет PC-индекс,: PC4-25600 Набор,: 2 модуля Наличие радиатора,: есть Общий объем, Гб: 16 Объем одного модуля, Гб: 8 Пропускная способность, Мб/с: 25600 Тайминги,: 18-22-22-42
178.92р.
Оперативная память DDR4 Patriot Viper Elite II (PVE2432G360C0)
6982801
CAS Latency, Т: 20 ECC,: нет PC-индекс,: PC4-28800 Набор,: 1 модуль Наличие радиатора,: есть Объем одного модуля, Гб: 32 Пропускная способность, Мб/с: 28800 Тайминги,: 20-26-26-46 Тактовая частота, МГц: 3600
322.95р.
Оперативная память DDR4 Patriot Viper Elite II (PVE2416G400C0)
6982795
CAS Latency, Т: 20 ECC,: нет PC-индекс,: PC4-28800 Набор,: 1 модуль Наличие радиатора,: есть Объем одного модуля, Гб: 16 Пропускная способность, Мб/с: 28800 Тайминги,: 20-26-26-46 Тактовая частота, МГц: 3600
146.55р.
Показано с 2401 по 2412 из 5871 (всего 490 страниц)
0
0