Компьютеры и периферия

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 240 ГБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 100 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 450 Скорость последовательной записи, Мб/с: 320 Скорость случайной записи, IOPS: 40000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1.92 ТБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 450 Скорость последовательной записи, Мб/с: 320 Скорость случайной записи, IOPS: 40000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 960 ГБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 450 Скорость последовательной записи, Мб/с: 320 Скорость случайной записи, IOPS: 40000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 960 ГБ Ресурс TBW, Тб: 480 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 530 Скорость последовательной записи, Мб/с: 475 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5"

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 512 ГБ Ресурс TBW, Тб: 240 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 520 Скорость последовательной записи, Мб/с: 450 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5"

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 ТБ Ресурс TBW, Тб: 480 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 530 Скорость последовательной записи, Мб/с: 475 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5"

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 2 ТБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1400 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 5000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 4400 Скорость случайной записи, IOPS: 600000 Тип флэш-памяти,: 3D NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 2 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1280 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 4900 Скорость последовательной записи, Мб/с: 4600 Скорость случайного чтения, IOPS: 500000 Скорость случайной записи, IOPS: 630000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 640 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 4800 Скорость последовательной записи, Мб/с: 4600 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000 Скорость случайной записи, IOPS: 530000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 256 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1 ТБ Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2100 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280 Форм-фактор накопителя,: M.2

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Контроллер,: Silicon Motion SM2263XT Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280 Форм-фактор накопителя,: M.2