Samsung

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 480 Гб Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 15000 Ресурс TBW, Тб: 683 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 550 Скорость последовательной записи, Мб/с: 520 Скорость случайного чтения, IOPS: 98000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 240 Гб Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 15000 Ресурс TBW, Тб: 341 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 550 Скорость последовательной записи, Мб/с: 320 Скорость случайного чтения, IOPS: 98000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 960 Гб Интерфейс передачи данных,: SAS 3.0 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 4200 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1200 Скорость случайного чтения, IOPS: 600000 Скорость случайной записи, IOPS: 55000 Тип флэш-памяти,: 3D XPoint Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1.92 Тб Интерфейс передачи данных,: SAS 3.0 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 4200 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2400 Скорость случайного чтения, IOPS: 720000 Скорость случайной записи, IOPS: 85000 Тип флэш-памяти,: 3D XPoint Тип,: SSD диск

Тип,: SSD диск

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1.92 Тб Интерфейс передачи данных,: SAS 3.0 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1800 Скорость случайного чтения, IOPS: 430000 Скорость случайной записи, IOPS: 60000 Тип,: SSD диск

Тип,: SSD диск

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7450 Скорость последовательной записи, Мб/с: 6900 Скорость случайного чтения, IOPS: 1200000 Скорость случайной записи, IOPS: 1550000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 Тб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Samsung Elpis Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1200 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 5100

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 Тб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Samsung Elpis Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1200 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 5100

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Кол-во пластин,: 1 Контроллер,: Samsung Phoenix Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 4 Тб Интерфейс передачи данных,: SATA III Контроллер,: Samsung MKX Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 2400 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 560 Скорость последовательной записи, Мб/с: 530