Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1000000
Емкость,: 512 Гб
Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3
Ресурс TBW, Тб: 349
Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2400
Скорость последовательной записи, Мб/с: 1700
Скорость случайного чтения, IOPS: 76400
Скорость случайной записи, IOPS: 96200
Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND
Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000
Емкость,: 512 Гб
Ресурс TBW, Тб: 240
Скорость последовательного чтения, Мб/с: 530
Скорость последовательной записи, Мб/с: 350
Скорость случайной записи, IOPS: 57000
Тип флэш-памяти,: 3D QLC NAND
Тип,: SSD диск
Толщина, мм: 3.5
Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000
Емкость,: 256 Гб
Ресурс TBW, Тб: 120
Скорость последовательного чтения, Мб/с: 530
Скорость последовательной записи, Мб/с: 350
Скорость случайной записи, IOPS: 57000
Тип флэш-памяти,: 3D QLC NAND
Тип,: SSD диск
Толщина, мм: 3.5
Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1000000
Емкость,: 1 Тб
Скорость последовательного чтения, Мб/с: 570
Скорость последовательной записи, Мб/с: 540
Скорость случайного чтения, IOPS: 83500
Скорость случайной записи, IOPS: 68700
Тип флэш-памяти,: 3D NAND
Тип,: SSD диск
Типоразмер M.2,: 2280
Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1000000
Емкость,: 1 Тб
Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3
Ресурс TBW, Тб: 6.98
Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2400
Скорость последовательной записи, Мб/с: 1900
Скорость случайного чтения, IOPS: 76400
Скорость случайной записи, IOPS: 96200
Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND