Жесткие диски, SSD

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 1 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 760 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайной записи, IOPS: 670000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Интерфейс передачи данных,: SATA III Контроллер,: Silicon Motion Скорость последовательного чтения, Мб/с: 535 Скорость последовательной записи, Мб/с: 465 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 160 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 558 Скорость последовательной записи, Мб/с: 504 Скорость случайного чтения, IOPS: 44768 Скорость случайной записи, IOPS: 71178

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 480 Гб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 530 Скорость последовательной записи, Мб/с: 510 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5"

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 1 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 520 Скорость последовательной записи, Мб/с: 460 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 256 Гб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 150 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 550 Скорость последовательной записи, Мб/с: 510 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 120 Гб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 70 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 510 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1 Тб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 640 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 390000 Скорость случайной записи, IOPS: 380000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 512 Гб Контроллер,: Innogrit IG5236 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 370 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7200 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2600 Скорость случайного чтения, IOPS: 425000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 4 Тб Контроллер,: Innogrit IG5236 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 2960 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7200 Скорость последовательной записи, Мб/с: 6600 Скорость случайной записи, IOPS: 750000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 2 Тб Контроллер,: Innogrit IG5236 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1480 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7400 Скорость последовательной записи, Мб/с: 6800 Скорость случайной записи, IOPS: 750000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 512 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Ресурс TBW, Тб: 300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2200 Скорость случайной записи, IOPS: 191000 Тип флэш-памяти,: 3D NAND Тип,: SSD диск