Компьютеры и периферия

Емкость,: 2 ТБ Контроллер,: Phison PS5021-E21-48 Ресурс TBW, Тб: 440 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Тип флэш-памяти,: 3D QLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280 Форм-фактор накопителя,: M.2

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 500 ГБ Скорость последовательного чтения, Мб/с: 560 Скорость последовательной записи, Мб/с: 510 Скорость случайного чтения, IOPS: 95 Скорость случайной записи, IOPS: 90 Тип флэш-памяти,: 3D NAND Тип,: SSD диск

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 2 ТБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Контроллер,: Silicon Motion SM2258 Ресурс TBW, Тб: 700 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 560 Скорость последовательной записи, Мб/с: 510 Скорость случайного чтения, IOPS: 95000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 500 ГБ Контроллер,: Phison PS5025-E25 Ресурс TBW, Тб: 300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7200 Скорость последовательной записи, Мб/с: 5700 Скорость случайного чтения, IOPS: 800000 Скорость случайной записи, IOPS: 1390000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Емкость,: 512 ГБ Скорость последовательного чтения, Мб/с: 500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 450 Тип флэш-памяти,: 3D NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5" Назначение,: для ноутбука Цвет,: черный

Емкость,: 512 ГБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Скорость последовательного чтения, Мб/с: 550 Скорость последовательной записи, Мб/с: 485 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5" Назначение,: для ноутбука

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 512 ГБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 425 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 550 Скорость последовательной записи, Мб/с: 520 Скорость случайного чтения, IOPS: 96618 Скорость случайной записи, IOPS: 30176

Аппаратное шифрование,: нет Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 5000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 4400 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 256 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 170 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1300 Скорость случайного чтения, IOPS: 165000 Скорость случайной записи, IOPS: 265000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 256 ГБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 170 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1200 Скорость случайного чтения, IOPS: 210000 Скорость случайной записи, IOPS: 315000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 512 ГБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 350 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2300 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000 Скорость случайной записи, IOPS: 600000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 2 ТБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 700000 Скорость случайной записи, IOPS: 680000 Тип флэш-памяти,: 3D NAND