Компьютеры и периферия

Аппаратное шифрование,: нет Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 512 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Phison PS5013-E13 Ресурс TBW, Тб: 400 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1500 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Аппаратное шифрование,: нет Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 256 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Phison PS5013-E13 Ресурс TBW, Тб: 200 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 1800 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1100 Скорость случайной записи, IOPS: 360000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 512 ГБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 350 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 450000 Скорость случайной записи, IOPS: 700000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 512 ГБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 350 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2300 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000 Скорость случайной записи, IOPS: 600000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 2 ТБ Ресурс TBW, Тб: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7400 Скорость последовательной записи, Мб/с: 7000 Скорость случайной записи, IOPS: 1000000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 ТБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 480 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1700 Скорость случайного чтения, IOPS: 530000 Скорость случайной записи, IOPS: 420000 Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 2 ТБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 700000 Скорость случайной записи, IOPS: 680000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1800000 Емкость,: 2 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Ресурс TBW, Тб: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 700000 Скорость случайной записи, IOPS: 680000 Тип флэш-памяти,: 3D NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1600000 Емкость,: 1 ТБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 750 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7300 Скорость последовательной записи, Мб/с: 6000 Скорость случайного чтения, IOPS: 750000 Скорость случайной записи, IOPS: 1000000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 350 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1700 Скорость случайного чтения, IOPS: 530000 Скорость случайной записи, IOPS: 420000 Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 480 ГБ Контроллер,: Silicon Motion SM2263XT Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1600 Скорость случайного чтения, IOPS: 249100 Скорость случайной записи, IOPS: 225600 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Контроллер,: Silicon Motion Скорость последовательного чтения, Мб/с: 535 Скорость последовательной записи, Мб/с: 465 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7