Жесткие диски, SSD

Емкость,: 120 ГБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 65 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 550 Скорость последовательной записи, Мб/с: 440 Тип флэш-памяти,: NAND TLC Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 128 ГБ Интерфейс передачи данных,: SATA III Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 65 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 560 Скорость последовательной записи, Мб/с: 530 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Контроллер,: Samsung Elpis Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 5100 Скорость случайного чтения, IOPS: 1000000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Samsung Elpis Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1200 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 5100

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Контроллер,: Samsung Elpis Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7000 Скорость последовательной записи, Мб/с: 5000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 500 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Контроллер,: Samsung Pablo Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2600 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 250 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Контроллер,: Samsung Pablo Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 150 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2900 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1300 Скорость случайного чтения, IOPS: 230000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Контроллер,: Samsung Pablo Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 3000 Скорость случайного чтения, IOPS: 500000

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 500 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Кол-во пластин,: 1 Контроллер,: Samsung Phoenix Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Кол-во пластин,: 1 Контроллер,: Samsung Phoenix Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 1200 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 250 ГБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Кол-во пластин,: 1 Контроллер,: Samsung Phoenix Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 150 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500

Аппаратное шифрование,: есть Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 ТБ Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Кол-во пластин,: 1 Контроллер,: Samsung Phoenix Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 600 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3500