Жесткие диски, SSD

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 500 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Контроллер,: Samsung Pablo Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3100 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2600 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 250 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Контроллер,: Samsung Pablo Controller Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 150 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2900 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1300 Скорость случайного чтения, IOPS: 230000

Аппаратное шифрование,: есть Емкость,: 512 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.3 Ресурс TBW, Тб: 240 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 1700 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1100 Скорость случайного чтения, IOPS: 290000 Скорость случайной записи, IOPS: 260000 Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 2 Тб Ресурс TBW, Тб: 480 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 530 Скорость последовательной записи, Мб/с: 475 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5"

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 1 Тб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 640 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 4800 Скорость последовательной записи, Мб/с: 4600 Скорость случайного чтения, IOPS: 400000 Скорость случайной записи, IOPS: 530000 Тип флэш-памяти,: 3D NAND

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 500 Гб Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Ресурс TBW, Тб: 300 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 3400 Скорость последовательной записи, Мб/с: 2000 Скорость случайного чтения, IOPS: 150000 Скорость случайной записи, IOPS: 200000 Тип,: SSD диск

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 256 Гб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2500 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1000 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 512 Гб Контроллер,: Silicon Motion SM2263XT Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2018 Скорость последовательной записи, Мб/с: 1309 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 1500000 Емкость,: 1 Тб Контроллер,: Silicon Motion SM2263XT Максимальная ударная нагрузка, G: 1500 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 2100 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Типоразмер M.2,: 2280 Форм-фактор накопителя,: M.2

Емкость,: 960 Гб Интерфейс передачи данных,: SATA III Скорость последовательного чтения, Мб/с: 560 Скорость последовательной записи, Мб/с: 520 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5" Назначение,: для ноутбука

Емкость,: 480 Гб Интерфейс передачи данных,: SATA III Скорость последовательного чтения, Мб/с: 560 Скорость последовательной записи, Мб/с: 520 Тип флэш-памяти,: 3D TLC NAND Тип,: SSD диск Толщина, мм: 7 Форм-фактор накопителя,: 2.5" Назначение,: для ноутбука

Время наработки на отказ (МТBF), ч: 2000000 Емкость,: 2 Тб Интерфейс передачи данных,: NVMe 1.4 Контроллер,: MaxioTech MAP1602A Ресурс TBW, Тб: 1280 Скорость последовательного чтения, Мб/с: 7300 Скорость последовательной записи, Мб/с: 6700 Скорость случайного чтения, IOPS: 900000 Скорость случайной записи, IOPS: 700000